近日，中微公司临港产业化基地、格创·华芯半导体园区、艾锐光电化合物半导体平台项目等3个化合物半导体相关项目披露了最新进展。

　　8月2日，据中微公司官微消息，中微公司宣布其临港产业化基地正式启用。据悉，中微公司临港产业化基地占地约157亩、总建筑面积约18万平方米，配备实验室、洁净室、生产车间及智能化立体仓库等设施，可实现生产全程数字化、智能化管理。

　　项目进展方面，2023年7月，14万平方米的中微公司南昌生产研发基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微临港总部暨研发大楼也正在建设中，建成后占地面积约10万平方米。未来，中微公司的生产和研发基地总面积将达到约45万平方米。

　　业务进展方面，中微公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等领域均取得了突破。在刻蚀设备领域，凭借刻蚀设备双台机技术，中微公司率先提出“皮米级”加工精度概念，其刻蚀精度已经达到100“皮米”以下水平，相当于头发丝350万分之一的精准度，能够满足90%以上的刻蚀应用需求。

　　半导体薄膜沉积设备领域，中微公司推出了Preforma Uniflex® CW、Preforma Uniflex® HW、Preforma Uniflex® AW等多款新产品。此外，其新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等多款新产品，也会在近期投入市场验证。

　　在MOCVD设备领域，中微公司自推出第一代MOCVD设备PRISMO A7®以来，不断丰富产品线且快速升级迭代，目前在Mini LED等氮化镓基设备领域，中微公司的市场占有率稳居前列，并持续开发用于氮化镓、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD设备。

　　据了解，格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元。此次实现设备进机的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地主体工程项目——华芯微电子首条6英寸砷化镓晶圆生产线，主要生产化合物半导体微波集成电路（MMIC）及VCSEL芯片，建成后将成为广东省内首家砷化镓代工厂，预计今年11月竣工验收并工艺通线年上半年实现大规模量产。该项目于2023年7月正式开工，仅用时184天便实现项目主体封顶。

　　资料显示，华芯微电子是华芯（珠海）半导体有限公司（以下简称珠海华芯）全资子公司，后者是一家半导体集成电路产品与服务供应商。珠海华芯拥有外延金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备、芯片工艺设备和封装设备等，主要从事尖端化合物半导体光电子芯片及其应用产品的研究、开发与生产，主要产品为高亮度LED、蓝绿光半导体激光管、垂直腔面发射（VCSEL）光子芯片、DFB光子芯片、EML光子芯片以及高亮度半导体激光芯片等。

　　8月1日，据“日照开发区发布”官微消息，艾锐光电化合物半导体平台项目2#厂房主体结构7月31日顺利封顶。据介绍，主体封顶后，该项目拟计划于近几个月将后期的填充墙砌筑，内外墙装饰抹灰，楼、地面及门窗安装和保温涂料工程全部完成。

　　据悉，该项目总投资约2.6亿元。一期投资1.4亿元，建设MOCVD（金属有机气相外延）、MBE（分子束外延）生产线英寸磷化铟外延片，预计年产量约5000片；二期投资1.2亿元，以一期项目磷化铟外延片为原料，新上芯片处理设备，进行激光器封装及光模块产品的生产，形成300万TO-CAN光器件、100万光模块的年产能。

　　据介绍，艾锐光电还计划新上测试台，ATE功能测试系统近20套，形成6条组装生产线万个光模块的产能。

　　作为一家光组件及芯片研发商，艾锐光电集研发、生产、销售于一体，为用户提供光通信及传感用激光芯片、光器件、组件及光模块，以及光组件、模块产品的设计方案和技术服务。艾锐光电以基于啁啾控制的高速DML激光器技术为切入点，研发10G DML激光器、25G DFB/FP等产品，面向10G-PON、NGPON2、5G无线G数据中心等市场。

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